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BAS116UDJ
Document number: DS35244 Rev. 3 - 2
3 of 4
www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
BAS116UDJ
ADVANCE INFORMATION
0
0
50
100
25 50
75 100 125
150
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
150
200
250
300
Note 5
0.0010 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.01
0.1
1
10
100
1,000
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics - Per Element
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = -55°CA
0.010102030405060708090100
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics - Per Element
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
0.1
1
10
100
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = -55°CA
00 5 10 15 20 25 30 35 40
Fig. 4 Typical Total Capacitance vs. Reverse Voltage -
Per Element
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
0.25
0.75
1.25
1.75
0.50
1.00
1.50
2.00
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E (p
F
)
T
f = 1MHz
Package Outline Dimensions
SOT963
Dim
Min
Max Typ
A
0.40
0.50 0.45
A1
0
0.05 -
c
0.120
0.180 0.150
D
0.95
1.05 1.00
E
0.95
1.05 1.00
E1
0.75
0.85 0.80
L
0.05
0.15 0.10
b
0.10
0.20 0.15
e
0.35 Typ
e1
0.70 Typ
All Dimensions in mm
L
c
E
D
e1
e
E1
b (6 places)
A
A1
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